Germaniumtransistor PNP GT308 HFE 90-100

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Artikelnummer: 001214 Kategorien: ,

Beschreibung

Russischer PNP Germaniumtransistor GT308 aus Militärbeständen
Handselektiert bei 20°C mit einem Leckstrom < 20µA

Technische Daten:
Ucb= -20V
Uce= -12V
Ueb= -3V
Icmax = -50mA
Ptot = 150mW
fmax = 120Mhz
HFE 90-100

Für eine genau ausgemessene Kennlinie, nehmen sie bitte mit uns Kontakt auf.

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