Beschreibung
PNP Germaniumtransistor AC125
Handselektiert bei 20°C mit einem Leckstrom < 300µA
Technische Daten:
Gehäuse: TO1
Ucb= -32V
Uce= -12V
Ueb= -10V
Icmax = -100mA
Ptot = 500mW
fmax = 1.3Mhz
Hfe = 71-80
Genaue Daten finden sie im Datenblatt.
Für eine genau ausgemessene Kennlinie, nehmen sie bitte mit uns Kontakt auf.
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