Germaniumtransistor PNP AC125 HFE 100-110

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Beschreibung

PNP Germaniumtransistor AC125
Handselektiert bei 20°C mit einem Leckstrom < 200µA

Technische Daten:
Gehäuse: TO1
Ucb= -32V
Uce= -12V
Ueb= -10V
Icmax = -100mA
Ptot = 500mW
fmax = 1.3Mhz
Hfe = 100-110

Genaue Daten  finden sie im Datenblatt.

Für eine genau ausgemessene Kennlinie, nehmen sie bitte mit uns Kontakt auf.

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