Beschreibung
Russischer PNP Germaniumtransistor GT308 aus Militärbeständen
Handselektiert bei 20°C mit einem Leckstrom < 300µA
Technische Daten:
Ucb= -20V
Uce= -12V
Ueb= -3V
Icmax = -50mA
Ptot = 150mW
fmax = 120Mhz
HFE 110-120
Für eine genau ausgemessene Kennlinie, nehmen sie bitte mit uns Kontakt auf.
Bewertungen
Es gibt noch keine Bewertungen.