Germaniumtransistor PNP AC128 HFE 200-210

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Beschreibung

PNP Germaniumtransistor AC128
Handselektiert bei 20°C mit einem Leckstrom < 300µA

Technische Daten:
Gehäuse: TO1
Ucb= -32V
Uce= -16V
Ueb= -10V
Icmax = -1A
Ptot = 700mW
Hfe = 200-210

Genaue Daten und Kennlinien finden sie im Datenblatt.

Für eine genau ausgemessene Kennlinie, nehmen sie bitte mit uns Kontakt auf.

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